三星主导调涨DRAM报价策略奏效，全球市场研究机构TrendForce集邦科技近期DRAM现货报价连四天动物会上升，主流DDR44GbDRAM有机会向2美元叩关，也是将近2个月来涨势最具体的半导体最重要元件。DRAM厂商还包括南亚科、华邦、威刚及宇瞻等，有望重掌多头反攻号令。
存储器渠道商回应，三星和SK海力士近期主导价格涨势态度大力，除8月调涨DRAM报价，第4季合约价也再行上涨一成，连同第3季合约价调涨15%，相等下半年涨幅大约25%。 2大韩系DRAM大厂的市占到逾八成，主导DRAM涨价策略奏效，已鼓舞现货报价连四天上升，集邦近期DRAM报价，主导DDR44GbDRAM单日最高价已约每颗2.2美元，虽然均价在1.86美元，但业者预期随买盘加剧，迅速不会稳住2美元之上。
至于应用于其他工控和网通及消费产品的DDR32Gb及4GbDRAM，涨势虽并未DDR4强势，但也呈现出缓涨态势。 渠道商分析，两大韩系由业者涨价，三星期望能站稳利润，填补Note7重复使用的损失，各品牌手机为因应低解析影响处置和储存市场需求，新机配备DRAM和NAND容量都大幅度提高，也是涨价有理的关键。
例如苹果iPhone7的DRAM配备量由2GB引升到3GB，部分非苹机种更至6GB，都以难以置信的幅度茁壮，笔电厂和资料中心所需的伺服器存储器市场需求成长性更加难以置信。 第4季是欧美及亚洲零售旺季，还包括感恩节、耶诞节及双十一光棍节等，各家厂商竞相备货抢食商机，韩系大厂在苹果等主要大厂已包下大部分生产能力，升至售价是期望借以要渠道末端和委托生产代工大厂备货。
韩系大厂将生产能力改向行动时记忆体和NAND，导致标准型DRAM缺货，近期标准型DRAM现货价回落，估算第4季涨势不会以标准型DRAM最显著，涨幅惧逾一成、甚至平均15%；移动DRAM涨幅估算也不会极大。 集邦同时寄予厚望储存型快闪记忆体（NANDFlash）第4季涨势，主因3DNAND芯片制程前进不如预期，而各项终端产品已转入市场需求旺季。
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